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文献
J-GLOBAL ID：202002289558624644
整理番号：20A0969043
AlGaN/GaN/AlNダブルヘテロ構造高Electron移動度トランジスタに及ぼすAlNバッファ層の影響【JST・京大機械翻訳】
The Effect of AlN Buffer Layer on AlGaN/GaN/AlN Double-Heterostructure High-Electron-Mobility Transistor
Choi Uiho
(Nano-Optical Engineering, Korea Polytechnic University (KPU), Siheung, Gyeonggi, 427-793, Republic of Korea)
,
Jung Donghyeop
(Nano-Optical Engineering, Korea Polytechnic University (KPU), Siheung, Gyeonggi, 427-793, Republic of Korea)
,
Lee Kyeongjae
(Nano-Optical Engineering, Korea Polytechnic University (KPU), Siheung, Gyeonggi, 427-793, Republic of Korea)
,
Kwak Taemyung
(Nano-Optical Engineering, Korea Polytechnic University (KPU), Siheung, Gyeonggi, 427-793, Republic of Korea)
,
Jang Taehoon
(Nano-Optical Engineering, Korea Polytechnic University (KPU), Siheung, Gyeonggi, 427-793, Republic of Korea)
,
Nam Yongjun
(Nano-Optical Engineering, Korea Polytechnic University (KPU), Siheung, Gyeonggi, 427-793, Republic of Korea)
,
So Byeongchan
(Nano-Optical Engineering, Korea Polytechnic University (KPU), Siheung, Gyeonggi, 427-793, Republic of Korea)
,
Nam Okhyun
(Nano-Optical Engineering, Korea Polytechnic University (KPU), Siheung, Gyeonggi, 427-793, Republic of Korea)
資料名：
Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science
(Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 217 号： 7 ページ： e1900694 発行年： 2020年
JST資料番号： D0774A ISSN： 1862-6300 CODEN： PSSABA 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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