文献
J-GLOBAL ID:202002289713115793
整理番号:20A2549750
マイクロ波照射後の2Hおよび1T相に存在するMoS_2の表面ポテンシャルの増加【JST・京大機械翻訳】
Increased surface potential of MoS2 Coexisting in 2H and 1T phases after microwave irradiation
著者 (3件):
Shakya Jyoti
(School of Physical Sciences, Jawaharlal Nehru University, New Delhi, India 110067)
,
Kumar Sanjeev
(School of Physical Sciences, Jawaharlal Nehru University, New Delhi, India 110067)
,
Mohanty T.
(School of Physical Sciences, Jawaharlal Nehru University, New Delhi, India 110067)
資料名:
AIP Conference Proceedings
(AIP Conference Proceedings)
巻:
2265
号:
1
ページ:
030720-030720-4
発行年:
2020年
JST資料番号:
D0071C
ISSN:
0094-243X
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)