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文献
J-GLOBAL ID：202002289830435985
整理番号：20A1072930
低温でシリコン中のホウ素原子を活性化するために用いられるArgon前駆体イオン注入【JST・京大機械翻訳】
Argon Precursor Ion Implantation Used to Activate Boron Atoms in Silicon at Low Temperatures
Sameshima Toshiyuki
(Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, Tokyo, Japan)
,
Nagao Tomokazu
(Nissin Ion Equipment Company, Ltd., Kyoto, Japan)
,
Sekiguchi Erika
(Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, Tokyo, Japan)
,
Hasumi Masahiko
(Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, Tokyo, Japan)
資料名：
IEEE Access
(IEEE Access)
巻： 8 ページ： 72598-72606 発行年： 2020年
JST資料番号： W2422A ISSN： 2169-3536 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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