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文献
J-GLOBAL ID：202002289905765665
整理番号：20A1716263
レーザビームパターン化数層横方向MoS_2Schottky接合のオプトエレクトロニック特性【JST・京大機械翻訳】
Optoelectronic properties of laser-beam-patterned few-layer lateral MoS2 Schottky junctions
Nagamine Y.
(Faculty of Science and Engineering, Aoyama Gakuin University, 5-10-1 Fuchinobe, Sagamihara, Kanagawa 252-5258, Japan)
,
Sato J.
(Faculty of Science and Engineering, Aoyama Gakuin University, 5-10-1 Fuchinobe, Sagamihara, Kanagawa 252-5258, Japan)
,
Qian Y.
(Department of Mechanical Engineering, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan)
,
Inoue T.
(Department of Mechanical Engineering, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan)
,
Nakamura T.
(Institute for Solid State Physics, The University of Tokyo, 5-1-5 Kashiwanoha, Kashiwa, Chiba 277-8581, Japan)
,
Maruyama S.
(Department of Mechanical Engineering, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan)
,
Katsumoto S.
(Institute for Solid State Physics, The University of Tokyo, 5-1-5 Kashiwanoha, Kashiwa, Chiba 277-8581, Japan)
,
Haruyama J.
(Faculty of Science and Engineering, Aoyama Gakuin University, 5-10-1 Fuchinobe, Sagamihara, Kanagawa 252-5258, Japan)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 117 号： 4 ページ： 043101-043101-5 発行年： 2020年
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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