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J-GLOBAL ID:202002289905765665   整理番号:20A1716263

レーザビームパターン化数層横方向MoS_2Schottky接合のオプトエレクトロニック特性【JST・京大機械翻訳】

Optoelectronic properties of laser-beam-patterned few-layer lateral MoS2 Schottky junctions
著者 (8件):
Nagamine Y.
(Faculty of Science and Engineering, Aoyama Gakuin University, 5-10-1 Fuchinobe, Sagamihara, Kanagawa 252-5258, Japan)
Sato J.
(Faculty of Science and Engineering, Aoyama Gakuin University, 5-10-1 Fuchinobe, Sagamihara, Kanagawa 252-5258, Japan)
Qian Y.
(Department of Mechanical Engineering, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan)
Inoue T.
(Department of Mechanical Engineering, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan)
Nakamura T.
(Institute for Solid State Physics, The University of Tokyo, 5-1-5 Kashiwanoha, Kashiwa, Chiba 277-8581, Japan)
Maruyama S.
(Department of Mechanical Engineering, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan)
Katsumoto S.
(Institute for Solid State Physics, The University of Tokyo, 5-1-5 Kashiwanoha, Kashiwa, Chiba 277-8581, Japan)
Haruyama J.
(Faculty of Science and Engineering, Aoyama Gakuin University, 5-10-1 Fuchinobe, Sagamihara, Kanagawa 252-5258, Japan)

資料名:
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

巻: 117  号:ページ: 043101-043101-5  発行年: 2020年 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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