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文献
J-GLOBAL ID：202002290124166118
整理番号：20A2798933
STEM-EELSスペクトルイメージング法を用いたシリコンベース多層のナノ特性評価【JST・京大機械翻訳】
Nano-characterization of silicon-based multilayers using the technique of STEM-EELS spectrum-imaging
Anjum Dalaver H.
(Department of Physics, Khalifa University, P.O. Box 127788, Abu Dhabi, United Arab Emirates)
,
Qattan I.A.
(Applied Quantum Materials Lab (AQML), Department of Physics, Khalifa University, P.O. Box 127788, Abu Dhabi, United Arab Emirates)
,
Patole Shashikant
(Applied Quantum Materials Lab (AQML), Department of Physics, Khalifa University, P.O. Box 127788, Abu Dhabi, United Arab Emirates)
,
Diallo Elhadj M.
(Ali I. Al-Naimi Petroleum Engineering Research Center (ANPERC), King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Thuwal, 23955-6900, Saudi Arabia)
,
Wei Nini
(Imaging and Characterization Lab, King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Thuwal, 23955-6900, Saudi Arabia)
,
Heidbreder Henry
(Tystar Corporation, 7050 Lampson Ave, Garden Grove, CA, 92841, United States)
資料名：
Materials Today Communications
(Materials Today Communications)
巻： 25 ページ： Null 発行年： 2020年
JST資料番号： W3060A ISSN： 2352-4928 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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