文献
J-GLOBAL ID:202002290205115331
整理番号:20A2556272
Si(110)/a-SiO_2界面におけるドーパントトラップ準位と濃度の第一原理研究【JST・京大機械翻訳】
First-principles study of dopant trap level and concentration in Si(110)/a-SiO2 interface
著者 (6件):
Kang Gijae
(DIT center Samsung Electronics,Hwasungsi,Gyeonggi-do,South korea)
,
Jeon Joohyun
(DIT center Samsung Electronics,Hwasungsi,Gyeonggi-do,South korea)
,
Kim Junsoo
(Semiconductor R&D center Samsung Electronics,Hwasungsi,Gyeonggi-do,South korea)
,
Ahn Hyoshin
(DIT center Samsung Electronics,Hwasungsi,Gyeonggi-do,South korea)
,
Jang Inkook
(DIT center Samsung Electronics,Hwasungsi,Gyeonggi-do,South korea)
,
Kim Daesin
(DIT center Samsung Electronics,Hwasungsi,Gyeonggi-do,South korea)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2020
号:
SISPAD
ページ:
19-21
発行年:
2020年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)