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文献
J-GLOBAL ID：202002290784589226
整理番号：20A1353957
AlFeO_3薄膜ヘテロ構造における酸化還元ベースマルチレベル抵抗スイッチング【JST・京大機械翻訳】
Redox-Based Multilevel Resistive Switching in AlFeO3 Thin-Film Heterostructures
Rao Badari Narayana
(Laboratory for Materials and Structures, Tokyo Institute of Technology, Japan)
,
Yasui Shintaro
(Laboratory for Materials and Structures, Tokyo Institute of Technology, Japan)
,
Han Yefei
(Laboratory for Materials and Structures, Tokyo Institute of Technology, Japan)
,
Hamasaki Yosuke
(Department of Applied Physics, National Defense Academy, Japan)
,
Katayama Tsukasa
(Department of Chemistry, The University of Tokyo, Japan)
,
Shiraishi Takahisa
(Institute for Materials Research, Tohoku University, Japan)
,
Kiguchi Takanori
(Institute for Materials Research, Tohoku University, Japan)
,
Itoh Mitsuru
(Laboratory for Materials and Structures, Tokyo Institute of Technology, Japan)
資料名：
ACS Applied Electronic Materials
(ACS Applied Electronic Materials)
巻： 2 号： 4 ページ： 1065-1073 発行年： 2020年
JST資料番号： W5669A ISSN： 2637-6113 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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