文献
J-GLOBAL ID:202002291142922382
整理番号:20A0910437
Si(100)上に集積したサブ熱電子スケーラブルIII-Vトンネル電界効果トランジスタ【JST・京大機械翻訳】
Sub-Thermionic Scalable III-V Tunnel Field-Effect Transistors Integrated on Si (100)
著者 (10件):
Convertino C.
(IBM Research Zurich,Switzerland)
,
Zota C. B.
(IBM Research Zurich,Switzerland)
,
Baumgartner Y.
(IBM Research Zurich,Switzerland)
,
Staudinger P.
(IBM Research Zurich,Switzerland)
,
Sousa M.
(IBM Research Zurich,Switzerland)
,
Mauthe S.
(IBM Research Zurich,Switzerland)
,
Caimi D.
(IBM Research Zurich,Switzerland)
,
Czornomaz L.
(IBM Research Zurich,Switzerland)
,
Ionescu A. M.
(E ́cole polytechnique fe ́de ́rale de Lausanne EPFL,Switzerland)
,
Moselund K. E.
(IBM Research Zurich,Switzerland)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2019
号:
IEDM
ページ:
37.1.1-37.1.4
発行年:
2019年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)