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文献
J-GLOBAL ID：202002291246559089
整理番号：20A0656887
ホウ素単分子層ドーピング:ナノスケールにおける酸化物キャッピング層,分子フラグメンテーションおよびドーピング均一性の役割【JST・京大機械翻訳】
Boron Monolayer Doping: Role of Oxide Capping Layer, Molecular Fragmentation, and Doping Uniformity at the Nanoscale
Tzaguy Avra
(Institute of Chemistry and The Center for Nanoscience and Nanotechnology, The Hebrew University of Jerusalem, Edmond J. Safra Campus, Givat Ram Jerusalem, 91904, Israel)
,
Karadan Prajith
(Institute of Chemistry and The Center for Nanoscience and Nanotechnology, The Hebrew University of Jerusalem, Edmond J. Safra Campus, Givat Ram Jerusalem, 91904, Israel)
,
Killi Krushnamurty
(Institute of Chemistry and The Center for Nanoscience and Nanotechnology, The Hebrew University of Jerusalem, Edmond J. Safra Campus, Givat Ram Jerusalem, 91904, Israel)
,
Hazut Ori
(Institute of Chemistry and The Center for Nanoscience and Nanotechnology, The Hebrew University of Jerusalem, Edmond J. Safra Campus, Givat Ram Jerusalem, 91904, Israel)
,
Amit Iddo
(Department of Physical Electronics-School of Electrical Engineering, Tel Aviv University, Ramat Aviv, 69978, Israel)
,
Rosenwaks Yossi
(Department of Physical Electronics-School of Electrical Engineering, Tel Aviv University, Ramat Aviv, 69978, Israel)
,
Yerushalmi Roie
(Institute of Chemistry and The Center for Nanoscience and Nanotechnology, The Hebrew University of Jerusalem, Edmond J. Safra Campus, Givat Ram Jerusalem, 91904, Israel)
資料名：
Advanced Materials Interfaces
(Advanced Materials Interfaces)
巻： 7 号： 5 ページ： e1902198 発行年： 2020年
JST資料番号： W2484A ISSN： 2196-7350 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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