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文献
J-GLOBAL ID：202002291299336649
整理番号：20A2501598
ゲートオールアラウンドMOSFETのためのSi_0.7Ge_0.3/Si積層多層の熱安定性の研究【JST・京大機械翻訳】
Investigation on thermal stability of Si0.7Ge0.3/Si stacked multilayer for gate-all-around MOSFETS
Cheng Xiaohong
(Integrated Circuit Advanced Process Center, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Science, Beijing 100029, People’s Republic of China)
,
Li Yongliang
(Integrated Circuit Advanced Process Center, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Science, Beijing 100029, People’s Republic of China)
,
Wang Guilei
(Integrated Circuit Advanced Process Center, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Science, Beijing 100029, People’s Republic of China)
,
Liu Haoyan
(Integrated Circuit Advanced Process Center, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Science, Beijing 100029, People’s Republic of China)
,
Zan Ying
(Integrated Circuit Advanced Process Center, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Science, Beijing 100029, People’s Republic of China)
,
Lin Hongxiao
(Integrated Circuit Advanced Process Center, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Science, Beijing 100029, People’s Republic of China)
,
Kong Zhenzhen
(Integrated Circuit Advanced Process Center, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Science, Beijing 100029, People’s Republic of China)
,
Zhong Zhaoyang
(Integrated Circuit Advanced Process Center, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Science, Beijing 100029, People’s Republic of China)
,
Zhong Zhaoyang
(School of Applied Science, Beijing Information Science and Technology University, Beijing 100192, People’s Republic of China)
,
Li Yan
(School of Applied Science, Beijing Information Science and Technology University, Beijing 100192, People’s Republic of China)
,
Wang Hanxiang
(Integrated Circuit Advanced Process Center, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Science, Beijing 100029, People’s Republic of China)
,
Xu Gaobo
(Integrated Circuit Advanced Process Center, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Science, Beijing 100029, People’s Republic of China)
,
Ma Xueli
(Integrated Circuit Advanced Process Center, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Science, Beijing 100029, People’s Republic of China)
,
Wang Xiaolei
(Integrated Circuit Advanced Process Center, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Science, Beijing 100029, People’s Republic of China)
,
Yang Hong
(Integrated Circuit Advanced Process Center, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Science, Beijing 100029, People’s Republic of China)
,
Luo Jun
(Integrated Circuit Advanced Process Center, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Science, Beijing 100029, People’s Republic of China)
,
Wang Wenwu
(Integrated Circuit Advanced Process Center, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Science, Beijing 100029, People’s Republic of China)
資料名：
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻： 35 号： 11 ページ： 115008 (5pp) 発行年： 2020年
JST資料番号： E0503B ISSN： 0268-1242 CODEN： SSTEET 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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