文献
J-GLOBAL ID:202002291475493734
整理番号:20A0900125
自己加熱の低減により改善された電力トランジスタのための高電圧および高電流I_D-V_DS測定法【JST・京大機械翻訳】
High-Voltage and High-Current Id-Vds Measurement Method for Power Transistors Improved by Reducing Self-Heating
著者 (5件):
Nakamura Yohei
(Research and Development Center, ROHM Co., Ltd., Kyoto, Japan)
,
Kuroda Naotaka
(Research and Development Center, ROHM Co., Ltd., Kyoto, Japan)
,
Yanagi Tatsuya
(Research and Development Center, ROHM Co., Ltd., Kyoto, Japan)
,
Sakairi Hiroyuki
(Research and Development Center, ROHM Co., Ltd., Kyoto, Japan)
,
Nakahara Ken
(Research and Development Center, ROHM Co., Ltd., Kyoto, Japan)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
41
号:
4
ページ:
581-584
発行年:
2020年
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)