文献
J-GLOBAL ID:202002291574384898
整理番号:20A0819341
低アニーリング温度におけるNiおよび窒化チタントップ電極を用いた溶液処理AlOx,ベースRRAMの抵抗スイッチング挙動【JST・京大機械翻訳】
Resistive Switching Behavior of Solution-Processed AlOx, based RRAM with Ni and TiN Top Electrode at Low Annealing Temperatures
著者 (4件):
Shen Zongjie
(Xi’an Jiaotong-Liverpool University,Suzhou,China)
,
Zhao Cezhou
(Xi’an Jiaotong-Liverpool University,Suzhou,China)
,
Yang Li
(Xi’an Jiaotong-Liverpool University,Suzhou,China)
,
Zhao Chun
(Xi’an Jiaotong-Liverpool University,Suzhou,China)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2019
号:
ISOCC
ページ:
182-183
発行年:
2019年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)