文献
J-GLOBAL ID:202002291639292211
整理番号:20A1577079
GaN衝突イオン化アバランシェ通過時間(IMPATT)ダイオードの実証【JST・京大機械翻訳】
Demonstration of GaN Impact Ionization Avalanche Transit-Time (IMPATT) Diode
著者 (6件):
Ji Dong
(Stanford University,Department of Electrical Engineering,Stanford,CA,USA,94305)
,
Ercan Burcu
(University of California,Department of Electrical and Computer Engineering,Davis,CA,USA,95616)
,
Zhuang Jia
(Stanford University,Department of Electrical Engineering,Stanford,CA,USA,94305)
,
Gu Lei
(Stanford University,Department of Electrical Engineering,Stanford,CA,USA,94305)
,
Rivas-Davila Juan
(Stanford University,Department of Electrical Engineering,Stanford,CA,USA,94305)
,
Chowdhury Srabanti
(Stanford University,Department of Electrical Engineering,Stanford,CA,USA,94305)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2020
号:
DRC
ページ:
1-2
発行年:
2020年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)