文献
J-GLOBAL ID:202002292162228648
整理番号:20A0215816
超薄黒リンFETの物理に基づくコンパクトモデル II 数値データと実験データに対するモデル検証【JST・京大機械翻訳】
A Physics-Based Compact Model for Ultrathin Black Phosphorus FETs-Part II: Model Validation Against Numerical and Experimental Data
著者 (4件):
Yarmoghaddam Elahe
(Department of Electrical and Computer Engineering, Quantum Nanoelectronics Laboratory, New York University, New York City, NY, USA)
,
Haratipour Nazila
(Department of Electrical and Computer Engineering, University of Minnesota, Minneapolis, MN, USA)
,
Koester Steven J.
(Department of Electrical and Computer Engineering, University of Minnesota, Minneapolis, MN, USA)
,
Rakheja Shaloo
(Holonyak Micro and Nanotechnology Laboratory, University of Illinois at Urbana-Champaign, Urbana, IL, USA)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
67
号:
1
ページ:
397-405
発行年:
2020年
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)