前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：202002297577809785
整理番号：20A2550971
1.3μm InAs量子ドットレーザダイオードの劣化:転位密度と量子ドット層の数の影響【JST・京大機械翻訳】
Degradation of 1.3 μm InAs Quantum-Dot Laser Diodes: Impact of Dislocation Density and Number of Quantum Dot Layers
Buffolo Matteo
(Department of Information Engineering, University of Padova, Padova, Italy)
,
Rovere Lorenzo
(Department of Information Engineering, University of Padova, Padova, Italy)
,
De Santi Carlo
(Department of Information Engineering, University of Padova, Padova, Italy)
,
Jung Daehwan
(University of California, Santa Barbara, CA, USA)
,
Norman Justin
(Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Santa Barbara, CA, USA)
,
Bowers John E.
(Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Santa Barbara, CA, USA)
,
Herrick Robert W.
(Intel Corporation, Santa Clara, CA, USA)
,
Meneghesso Gaudenzio
(Department of Information Engineering, University of Padova, Padova, Italy)
,
Zanoni Enrico
(Department of Information Engineering, University of Padova, Padova, Italy)
,
Meneghini Matteo
(Department of Information Engineering, University of Padova, Padova, Italy)
資料名：
IEEE Journal of Quantum Electronics
(IEEE Journal of Quantum Electronics)
巻： 57 号： 1 ページ： ROMBUNNO.2000108.1-8 発行年： 2021年
JST資料番号： H0432A ISSN： 0018-9197 CODEN： IEJQA7 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。