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文献
J-GLOBAL ID：202102211755961602
整理番号：21A0050822
GaAs基板上に分子ビームエピタクシーで成長させたInAsSbエピ層のバンドギャップエネルギー決定【JST・京大機械翻訳】
Bandgap energy determination of InAsSb epilayers grown by molecular beam epitaxy on GaAs substrates
K.Murawski
(INSTITUTE OF APPLIED PHYSICS, MILITARY UNIVERSITY OF TECHNOLOGY, 2 KALISKIEGO ST., 00-908, WARSAW, POLAND)
,
E .Gomo?ka
(INSTITUTE OF APPLIED PHYSICS, MILITARY UNIVERSITY OF TECHNOLOGY, 2 KALISKIEGO ST., 00-908, WARSAW, POLAND)
,
M.Kopytko
(INSTITUTE OF APPLIED PHYSICS, MILITARY UNIVERSITY OF TECHNOLOGY, 2 KALISKIEGO ST., 00-908, WARSAW, POLAND)
,
K.Grodecki
(INSTITUTE OF APPLIED PHYSICS, MILITARY UNIVERSITY OF TECHNOLOGY, 2 KALISKIEGO ST., 00-908, WARSAW, POLAND)
,
K.Michalczewski
(VIGO SYSTEM S.A., 129/133 POZNANSKA ST., 05-850, O?AROW MAZOWIECKI, POLAND)
,
Kubiszyn
(VIGO SYSTEM S.A., 129/133 POZNANSKA ST., 05-850, O?AROW MAZOWIECKI, POLAND)
,
W.Gawron
(VIGO SYSTEM S.A., 129/133 POZNANSKA ST., 05-850, O?AROW MAZOWIECKI, POLAND)
,
P.Martyniuk
(INSTITUTE OF APPLIED PHYSICS, MILITARY UNIVERSITY OF TECHNOLOGY, 2 KALISKIEGO ST., 00-908, WARSAW, POLAND)
,
A.Rogalski
(INSTITUTE OF APPLIED PHYSICS, MILITARY UNIVERSITY OF TECHNOLOGY, 2 KALISKIEGO ST., 00-908, WARSAW, POLAND)
,
J.Piotrowski
(VIGO SYSTEM S.A., 129/133 POZNANSKA ST., 05-850, O?AROW MAZOWIECKI, POLAND)
資料名：
Progress in Natural Science: Materials International
(Progress in Natural Science: Materials International)
巻： 29 号： 4 ページ： 472-476 発行年： 2020年
JST資料番号： W0407A ISSN： 1002-0071 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 中国 (CHN) 言語： 英語 (EN)
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