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J-GLOBAL ID：202102213329121921 整理番号：21A2169704

AlGaN/GaN高Electron移動度トランジスタのエンハンスメントモードに対するフッ素処理とリセスゲートによる帯電効果【JST・京大機械翻訳】

Charging Effect by Fluorine-Treatment and Recess Gate for Enhancement-Mode on AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors

著者 (12件)：

Kang Soo Cheol

(DMC Convergence Research Department, Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI), Daejeon 34129, Korea)

Jung Hyun-Wook

(DMC Convergence Research Department, Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI), Daejeon 34129, Korea)

Chang Sung-Jae

(DMC Convergence Research Department, Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI), Daejeon 34129, Korea)

Kim Seung Mo

(Center for Emerging Electronic Devices and Systems (CEEDS), Gwangju Institute of Science and Technology (GIST), Gwangju 61005, Korea)

Lee Sang Kyung

(Center for Emerging Electronic Devices and Systems (CEEDS), Gwangju Institute of Science and Technology (GIST), Gwangju 61005, Korea)

Lee Byoung Hun

(Center for Emerging Electronic Devices and Systems (CEEDS), Gwangju Institute of Science and Technology (GIST), Gwangju 61005, Korea)

Kim Haecheon

(DMC Convergence Research Department, Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI), Daejeon 34129, Korea)

Noh Youn-Sub

(DMC Convergence Research Department, Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI), Daejeon 34129, Korea)

Lee Sang-Heung

(DMC Convergence Research Department, Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI), Daejeon 34129, Korea)

Kim Seong-Il

(DMC Convergence Research Department, Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI), Daejeon 34129, Korea)

Ahn Ho-Kyun

(DMC Convergence Research Department, Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI), Daejeon 34129, Korea)

Lim Jong-Won

(DMC Convergence Research Department, Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI), Daejeon 34129, Korea)

資料名：

Nanomaterials (Web) (Nanomaterials (Web))

巻： 10 号： 11 ページ： 2116 発行年： 2020年
JST資料番号： U7252A ISSN： 2079-4991 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：スイス (CHE) 言語：英語 (EN)

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