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文献
J-GLOBAL ID：202102213908572839
整理番号：21A0538065
SIC MOS構造の耐放射線性の評価【JST・京大機械翻訳】
Assessing Radiation Hardness of SIC MOS Structures
Moreno J.
(Alter Technology, Calle de la Majada,Tres Cantos,Spain)
,
Cordero E.
(Alter Technology, Calle de la Majada,Tres Cantos,Spain)
,
Lopez D.
(Alter Technology, Calle de la Majada,Tres Cantos,Spain)
,
Massetti S.
(European Space Agency (ESTEC),Noordwijk,AG,The Netherlands,2200)
,
Cabello M.
(Centro Nacional de Microelectronica (CNM-CSIC), Campus UAB,Barcelona,Spain,08193)
,
Soler V.
(Centro Nacional de Microelectronica (CNM-CSIC), Campus UAB,Barcelona,Spain,08193)
,
Godignon P.
(Centro Nacional de Microelectronica (CNM-CSIC), Campus UAB,Barcelona,Spain,08193)
,
Maset E.
(University of Valencia, LEII,Burjassot,Spain,46100)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018 号： RADECS ページ： 1-8 発行年： 2018年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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