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文献
J-GLOBAL ID:202102213908572839   整理番号:21A0538065

SIC MOS構造の耐放射線性の評価【JST・京大機械翻訳】

Assessing Radiation Hardness of SIC MOS Structures
著者 (8件):
Moreno J.
(Alter Technology, Calle de la Majada,Tres Cantos,Spain)
Cordero E.
(Alter Technology, Calle de la Majada,Tres Cantos,Spain)
Lopez D.
(Alter Technology, Calle de la Majada,Tres Cantos,Spain)
Massetti S.
(European Space Agency (ESTEC),Noordwijk,AG,The Netherlands,2200)
Cabello M.
(Centro Nacional de Microelectronica (CNM-CSIC), Campus UAB,Barcelona,Spain,08193)
Soler V.
(Centro Nacional de Microelectronica (CNM-CSIC), Campus UAB,Barcelona,Spain,08193)
Godignon P.
(Centro Nacional de Microelectronica (CNM-CSIC), Campus UAB,Barcelona,Spain,08193)
Maset E.
(University of Valencia, LEII,Burjassot,Spain,46100)

資料名:
IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)

巻: 2018  号: RADECS  ページ: 1-8  発行年: 2018年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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