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文献
J-GLOBAL ID：202102214364055927
整理番号：21A0038617
その場抵抗,X線回折およびRaman分光法研究により明らかにした非晶質薄Ge_20Te_80膜の温度依存局所構造変化【JST・京大機械翻訳】
Temperature-Dependent Local Structural Changes of Amorphous Thin Ge20Te80 Film Revealed by In Situ Resistance, X-Ray Diffraction, and Raman Spectroscopy Studies
Sengottaiyan Rathinavelu
(Discipline of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Indore, Indore, 453552, India)
,
Manivannan Anbarasu
(Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Madras, Chennai, 600036, India)
資料名：
Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics
(Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics)
巻： 257 号： 12 ページ： e2000451 発行年： 2020年
JST資料番号： C0599A ISSN： 0370-1972 CODEN： PSSBBD 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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