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文献
J-GLOBAL ID：202102215033493089
整理番号：21A0147410
r面Al_2O_3上の1000°Cでのパルスレーザ蒸着からのコランダム相(Al,Ga)_2O_3薄膜のエピタキシャル成長と歪緩和【JST・京大機械翻訳】
Epitaxial growth and strain relaxation of corundum-phase (Al,Ga)2O3 thin films from pulsed laser deposition at 1000 °C on r-plane Al2O3
Grundmann M.
(Universitaet Leipzig, Felix Bloch Institute for Solid State Physics, Linnestr. 5, D-04103 Leipzig, Germany)
,
Stralka T.
(Universitaet Leipzig, Felix Bloch Institute for Solid State Physics, Linnestr. 5, D-04103 Leipzig, Germany)
,
Lorenz M.
(Universitaet Leipzig, Felix Bloch Institute for Solid State Physics, Linnestr. 5, D-04103 Leipzig, Germany)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 117 号： 24 ページ： 242102-242102-4 発行年： 2020年
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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