文献
J-GLOBAL ID:202102215033493089
整理番号:21A0147410
r面Al_2O_3上の1000°Cでのパルスレーザ蒸着からのコランダム相(Al,Ga)_2O_3薄膜のエピタキシャル成長と歪緩和【JST・京大機械翻訳】
Epitaxial growth and strain relaxation of corundum-phase (Al,Ga)2O3 thin films from pulsed laser deposition at 1000 °C on r-plane Al2O3
著者 (3件):
Grundmann M.
(Universitaet Leipzig, Felix Bloch Institute for Solid State Physics, Linnestr. 5, D-04103 Leipzig, Germany)
,
Stralka T.
(Universitaet Leipzig, Felix Bloch Institute for Solid State Physics, Linnestr. 5, D-04103 Leipzig, Germany)
,
Lorenz M.
(Universitaet Leipzig, Felix Bloch Institute for Solid State Physics, Linnestr. 5, D-04103 Leipzig, Germany)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
117
号:
24
ページ:
242102-242102-4
発行年:
2020年
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)