文献
J-GLOBAL ID:202102215726665402
整理番号:21A0011536
ファンアウトの再分布層に用いるナノ双晶Cuの高エレクトロマイグレーション抵抗【JST・京大機械翻訳】
High Electromigration Resistance of Nanotwinned Cu Used in Redistribution Layers of Fan-out
著者 (4件):
Tseng I-Hsin
(National Chiao Tung University,Department of Materials Science and Engineering,1001 Ta Hsueh Road, Hsin-Chu, Taiwan,ROC,30010)
,
Lin Benson
(MediaTek Inc PT, MediaTek Inc.,Hsinchu,Taiwan,300)
,
Chang Chia-Cheng
(MediaTek Inc PT, MediaTek Inc.,Hsinchu,Taiwan,300)
,
Chen Chih
(National Chiao Tung University,Department of Materials Science and Engineering,1001 Ta Hsueh Road, Hsin-Chu, Taiwan,ROC,30010)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2020
号:
IMPACT
ページ:
1-4
発行年:
2020年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)