文献
J-GLOBAL ID:202102216664949133
整理番号:21A0565410
0.1μmAlGaN/GaN HEMTプロセスのための改良QPZD I_ds,GVモデル【JST・京大機械翻訳】
An improved QPZD Ids, GV model for 0.1μm AlGaN/GaN HEMTs Process
著者 (5件):
Chang Chen
(University of Science and Technology of China,School of Microelectronics)
,
Zhu Guiqiang
(University of Science and Technology of China,School of Microelectronics)
,
Xu Yuehang
(University of Electronic Science and Technology of China,School of Electronic Science and Engineering)
,
Guo Yuqing
(University of Science and Technology of China,School of Microelectronics)
,
Lin Fujiang
(University of Science and Technology of China,School of Microelectronics)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2020
号:
ICTA
ページ:
98-99
発行年:
2020年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)