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文献
J-GLOBAL ID：202102216788093958
整理番号：21A0326228
Mist-CVD法によるAl2O3絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性
GaN-based MIS-HEMTs with Mist Chemical Vapor Deposited Al2O3
LOW Rui Shan
(福井大 大学院工学研究科)
,
永瀬樹
(福井大 大学院工学研究科)
,
BARATOV Ali
(福井大 大学院工学研究科)
,
ASUBAR Joel T.
(福井大 大学院工学研究科)
,
徳田博邦
(福井大 大学院工学研究科)
,
葛原正明
(関西学院大 理工)
,
谷田部然治
(熊本大 大学院自然科学研究部)
,
内藤健太
(熊本大 大学院自然科学研究部)
,
本山智洋
(熊本大 大学院自然科学研究部)
,
中村有水
(熊本大 大学院自然科学研究部)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告(Web)
(IEICE Technical Report (Web))
巻： 120 号： 254(ED2020 1-26) ページ： 49-52 (WEB ONLY) 発行年： 2020年11月19日
JST資料番号： U2030A ISSN： 2432-6380 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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