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文献
J-GLOBAL ID：202102216942717928
整理番号：21A0149952
Schottky接合を有するマルチフィンガゲートトンネルFETの物理電流モデル【JST・京大機械翻訳】
A Physical Current Model for Multi-Finger Gate Tunneling FET with Schottky Junction
Li Yimei
(Key Laboratory of Microelectronic Devices and Circuits (MOE), Institute of Microelectronics Peking University,Beijing,China,100871)
,
Luo Jin
(Key Laboratory of Microelectronic Devices and Circuits (MOE), Institute of Microelectronics Peking University,Beijing,China,100871)
,
Huang Qianqian
(Peking University Information Technology Institute (Tianjin Binhai))
,
An Xia
(Key Laboratory of Microelectronic Devices and Circuits (MOE), Institute of Microelectronics Peking University,Beijing,China,100871)
,
Ye Le
(Peking University Information Technology Institute (Tianjin Binhai))
,
Huang Ru
(Peking University Information Technology Institute (Tianjin Binhai))
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020 号： CSTIC ページ： 1-3 発行年： 2020年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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