文献
J-GLOBAL ID:202102217748710391
整理番号:21A0159327
半無限非対称Al_xGa_1-xAs/GaAs量子井戸の非線形光学特性に及ぼす印加外部場の影響【JST・京大機械翻訳】
Influence of applied external fields on the nonlinear optical properties of a semi-infinite asymmetric Al x Ga1-x As/GaAs quantum well
著者 (6件):
Ungan F.
(Faculty of Technology, Department of Optical Engineering, Sivas Cumhuriyet University, 58140, Sivas, Turkey)
,
Bahar M.K.
(Faculty of Science, Department of Physics, Sivas Cumhuriyet University, 58140, Sivas, Turkey)
,
Rodriguez-Magdaleno K.A.
(Unidad Academica de Fisica, Universidad Autonoma de Zacatecas, Calzada Solidaridad esquina con Paseo la Bufa S/N, C.P. 98060, Zacatecas, Zac, Mexico)
,
Mora-Ramos M.E.
(Centro de Investigacion en Ciencias, Instituto de Investigacion en Ciencias Basicas y Aplicadas, Universidad Autonoma del Estado de Morelos, Av. Universidad 1001, CP 62209, Cuernavaca, Morelos, Mexico)
,
Mora-Ramos M.E.
(Facultad de Ciencias Basicas, Universidad de Medellin, Medellin, Colombia)
,
Martinez-Orozco J.C.
(Unidad Academica de Fisica, Universidad Autonoma de Zacatecas, Calzada Solidaridad esquina con Paseo la Bufa S/N, C.P. 98060, Zacatecas, Zac, Mexico)
資料名:
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻:
123
ページ:
Null
発行年:
2021年
JST資料番号:
W1055A
ISSN:
1369-8001
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)