文献
J-GLOBAL ID:202102219602303229
整理番号:21A0038583
キャリア局在化により支配されたAlリッチAlGaN/AlN量子井戸構造におけるキャリア動力学【JST・京大機械翻訳】
Carrier Dynamics in Al-Rich AlGaN/AlN Quantum Well Structures Governed by Carrier Localization
著者 (9件):
Frankerl Christian
(OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Leibnizstr. 4, Regensburg, 93055, Germany)
,
Frankerl Christian
(Institut fuer Festkorperphysik, Technische Universitaet Berlin, Hardenbergstr. 36, Berlin, 10623, Germany)
,
Nippert Felix
(Institut fuer Festkorperphysik, Technische Universitaet Berlin, Hardenbergstr. 36, Berlin, 10623, Germany)
,
Hoffmann Marc Patrick
(OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Leibnizstr. 4, Regensburg, 93055, Germany)
,
Brandl Christian
(OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Leibnizstr. 4, Regensburg, 93055, Germany)
,
Lugauer Hans-Juergen
(OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Leibnizstr. 4, Regensburg, 93055, Germany)
,
Zeisel Roland
(OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Leibnizstr. 4, Regensburg, 93055, Germany)
,
Hoffmann Axel
(Institut fuer Festkorperphysik, Technische Universitaet Berlin, Hardenbergstr. 36, Berlin, 10623, Germany)
,
Davies Matthew John
(OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Leibnizstr. 4, Regensburg, 93055, Germany)
資料名:
Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics
(Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics)
巻:
257
号:
12
ページ:
e2000242
発行年:
2020年
JST資料番号:
C0599A
ISSN:
0370-1972
CODEN:
PSSBBD
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)