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文献
J-GLOBAL ID：202102219602303229
整理番号：21A0038583
キャリア局在化により支配されたAlリッチAlGaN/AlN量子井戸構造におけるキャリア動力学【JST・京大機械翻訳】
Carrier Dynamics in Al-Rich AlGaN/AlN Quantum Well Structures Governed by Carrier Localization
Frankerl Christian
(OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Leibnizstr. 4, Regensburg, 93055, Germany)
,
Frankerl Christian
(Institut fuer Festkorperphysik, Technische Universitaet Berlin, Hardenbergstr. 36, Berlin, 10623, Germany)
,
Nippert Felix
(Institut fuer Festkorperphysik, Technische Universitaet Berlin, Hardenbergstr. 36, Berlin, 10623, Germany)
,
Hoffmann Marc Patrick
(OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Leibnizstr. 4, Regensburg, 93055, Germany)
,
Brandl Christian
(OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Leibnizstr. 4, Regensburg, 93055, Germany)
,
Lugauer Hans-Juergen
(OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Leibnizstr. 4, Regensburg, 93055, Germany)
,
Zeisel Roland
(OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Leibnizstr. 4, Regensburg, 93055, Germany)
,
Hoffmann Axel
(Institut fuer Festkorperphysik, Technische Universitaet Berlin, Hardenbergstr. 36, Berlin, 10623, Germany)
,
Davies Matthew John
(OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Leibnizstr. 4, Regensburg, 93055, Germany)
資料名：
Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics
(Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics)
巻： 257 号： 12 ページ： e2000242 発行年： 2020年
JST資料番号： C0599A ISSN： 0370-1972 CODEN： PSSBBD 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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