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文献
J-GLOBAL ID：202102220668336032
整理番号：21A0299046
埋め込みInGaAs量子ドットを持つGaAs太陽電池における電圧損失理由の研究【JST・京大機械翻訳】
The study of voltage loss reasons in GaAs solar cells with embedded InGaAs quantum dots
Salii R A
(Submicron Heterostructures for Microelectronics, Research & Engineering Center, 194021, St. Petersburg, Russia)
,
Evstropov V V
(Ioffe Institute, Saint Petersburg, 194021, Russia)
,
Mintairov S A
(Ioffe Institute, Saint Petersburg, 194021, Russia)
,
Mintairov M A
(Submicron Heterostructures for Microelectronics, Research & Engineering Center, 194021, St. Petersburg, Russia)
,
Nakhimovich M V
(Ioffe Institute, Saint Petersburg, 194021, Russia)
,
Shvarts M Z
(Ioffe Institute, Saint Petersburg, 194021, Russia)
,
Kalyuzhnyy N A
(Ioffe Institute, Saint Petersburg, 194021, Russia)
資料名：
Journal of Physics: Conference Series
(Journal of Physics: Conference Series)
巻： 1695 号： 1 ページ： 012078 (4pp) 発行年： 2020年
JST資料番号： W5565A ISSN： 1742-6588 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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