文献
J-GLOBAL ID:202102220925552785
整理番号:21A0451884
高周波粉末スパッタリングを使用したサファイア(0001)基板上でのSnを組み込んだGa2O3薄膜のヘテロエピタキシャル成長
Heteroepitaxial growth of Sn-incorporated Ga2O3 thin films on sapphire(0001) substrates using radio-frequency powder-sputtering
著者 (2件):
LEE Haram
(Chosun Univ., Gwangju, KOR)
,
KANG Hyon Chol
(Chosun Univ., Gwangju, KOR)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
59
号:
9
ページ:
095501(6pp)
発行年:
2020年09月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)