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文献
J-GLOBAL ID：202102221308697144
整理番号：21A0224551
イオンビームリソグラフィーにおける有機レジストコントラストの決定【JST・京大機械翻訳】
Organic Resist Contrast Determination in Ion Beam Lithography
Shabelnikova Ya. L.
(Institute of Microelectronic Technology Problems and High Purity Materials of the Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia)
,
Zaitsev S. I.
(Institute of Microelectronic Technology Problems and High Purity Materials of the Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia)
,
Gusseinov N.
(National Nanotechnological Laboratory of Open Type (NNLOT), Al-Farabi Kazakh National University, Almaty, Kazakhstan)
,
Gabdullin M.
(Kazakh-British Technical University, Almaty, Kazakhstan)
,
Muratov M. M.
(National Nanotechnological Laboratory of Open Type (NNLOT), Al-Farabi Kazakh National University, Almaty, Kazakhstan)
資料名：
Semiconductors
(Semiconductors)
巻： 54 号： 14 ページ： 1854-1857 発行年： 2020年
JST資料番号： T0093A ISSN： 1063-7826 CODEN： SMICES 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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