文献
J-GLOBAL ID:202102221308697144
整理番号:21A0224551
イオンビームリソグラフィーにおける有機レジストコントラストの決定【JST・京大機械翻訳】
Organic Resist Contrast Determination in Ion Beam Lithography
著者 (5件):
Shabelnikova Ya. L.
(Institute of Microelectronic Technology Problems and High Purity Materials of the Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia)
,
Zaitsev S. I.
(Institute of Microelectronic Technology Problems and High Purity Materials of the Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia)
,
Gusseinov N.
(National Nanotechnological Laboratory of Open Type (NNLOT), Al-Farabi Kazakh National University, Almaty, Kazakhstan)
,
Gabdullin M.
(Kazakh-British Technical University, Almaty, Kazakhstan)
,
Muratov M. M.
(National Nanotechnological Laboratory of Open Type (NNLOT), Al-Farabi Kazakh National University, Almaty, Kazakhstan)
資料名:
Semiconductors
(Semiconductors)
巻:
54
号:
14
ページ:
1854-1857
発行年:
2020年
JST資料番号:
T0093A
ISSN:
1063-7826
CODEN:
SMICES
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)