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文献
J-GLOBAL ID：202102221536105584
整理番号：21A0013222
220nmシリコンフォトニクスプラットフォームに集積したOバンドGeSi量子閉込めStark効果電界吸収変調器【JST・京大機械翻訳】
O-band GeSi quantum-confined Stark effect electro-absorption modulator integrated in a 220nm silicon photonics platform
Porret Clement
(Imec,Leuven,Belgium)
,
Srinivasan Srinivasan Ashwyn
(Imec,Leuven,Belgium)
,
Balakrishnan Sadhishkumar
(Imec,Leuven,Belgium)
,
Verheyen Peter
(Imec,Leuven,Belgium)
,
Favia Paola
(Imec,Leuven,Belgium)
,
Bender Hugo
(Imec,Leuven,Belgium)
,
Ong Patrick
(Imec,Leuven,Belgium)
,
Loo Roger
(Imec,Leuven,Belgium)
,
Van Campenhout Joris
(Imec,Leuven,Belgium)
,
Pantouvaki Marianna
(Imec,Leuven,Belgium)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020 号： VLSI Technology ページ： 1-2 発行年： 2020年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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