文献
J-GLOBAL ID:202102222457079539
整理番号:21A0224544
ZrO_2(Y)ベースメモリスタにおける抵抗スイッチングの共鳴活性化【JST・京大機械翻訳】
Resonant Activation of Resistive Switching in ZrO2(Y) Based Memristors
著者 (5件):
Baranova V. N.
(Lobachevskii State University of Nizhnii Novgorod, Nizhnii Novgorod, Russia)
,
Filatov D. O.
(Lobachevskii State University of Nizhnii Novgorod, Nizhnii Novgorod, Russia)
,
Antonov D. A.
(Lobachevskii State University of Nizhnii Novgorod, Nizhnii Novgorod, Russia)
,
Antonov I. N.
(Lobachevskii State University of Nizhnii Novgorod, Nizhnii Novgorod, Russia)
,
Gorshkov O. N.
(Lobachevskii State University of Nizhnii Novgorod, Nizhnii Novgorod, Russia)
資料名:
Semiconductors
(Semiconductors)
巻:
54
号:
14
ページ:
1830-1832
発行年:
2020年
JST資料番号:
T0093A
ISSN:
1063-7826
CODEN:
SMICES
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)