文献
J-GLOBAL ID:202102223048111132
整理番号:21A0435783
マイクロエレクトロニクスパッケージング応用のためのカーボンナノチューブ-Cu複合材料に基づくCuレベル電気伝導率とSiレベル熱膨張を有するスルーシリコンビアインターポーザ【JST・京大機械翻訳】
Through-Silicon-Via Interposers with Cu-Level Electrical Conductivity and Si-Level Thermal Expansion Based on Carbon Nanotube-Cu Composites for Microelectronic Packaging Applications
著者 (5件):
Chen Guohai
(CNT-Application Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Ibaraki, Japan)
,
Sundaram Rajyashree
(CNT-Application Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Ibaraki, Japan)
,
Sekiguchi Atsuko
(CNT-Application Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Ibaraki, Japan)
,
Hata Kenji
(CNT-Application Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Ibaraki, Japan)
,
Futaba Don N.
(CNT-Application Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Ibaraki, Japan)
資料名:
ACS Applied Nano Materials
(ACS Applied Nano Materials)
巻:
4
号:
1
ページ:
869-876
発行年:
2021年
JST資料番号:
W5033A
ISSN:
2574-0970
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)