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文献
J-GLOBAL ID：202102223252118445
整理番号：21A0444453
スイッチング素子としてのワイドバンドギャップβ-Ga_2O_3パワーMOSFETの組み込みによる高周波DC配電網の安定性強化【JST・京大機械翻訳】
Stability Enhancement of High Frequency DC Distribution Network by Incorporating Wide Bandgap β-Ga2O3 Power MOSFET as Switching Element
Mukherjee Sudipta
(Indian Institute of Technology, Bombay,Department of Electrical Engineering,Mumbai,India)
,
Saha Dipankar
(Indian Institute of Technology, Bombay,Department of Electrical Engineering,Mumbai,India)
,
Laha Apurba
(Indian Institute of Technology, Bombay,Department of Electrical Engineering,Mumbai,India)
,
Ganguly Swaroop
(Indian Institute of Technology, Bombay,Department of Electrical Engineering,Mumbai,India)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020 号： EPEC ページ： 1-6 発行年： 2020年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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