文献
J-GLOBAL ID:202102223252118445
整理番号:21A0444453
スイッチング素子としてのワイドバンドギャップβ-Ga_2O_3パワーMOSFETの組み込みによる高周波DC配電網の安定性強化【JST・京大機械翻訳】
Stability Enhancement of High Frequency DC Distribution Network by Incorporating Wide Bandgap β-Ga2O3 Power MOSFET as Switching Element
著者 (4件):
Mukherjee Sudipta
(Indian Institute of Technology, Bombay,Department of Electrical Engineering,Mumbai,India)
,
Saha Dipankar
(Indian Institute of Technology, Bombay,Department of Electrical Engineering,Mumbai,India)
,
Laha Apurba
(Indian Institute of Technology, Bombay,Department of Electrical Engineering,Mumbai,India)
,
Ganguly Swaroop
(Indian Institute of Technology, Bombay,Department of Electrical Engineering,Mumbai,India)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2020
号:
EPEC
ページ:
1-6
発行年:
2020年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)