文献
J-GLOBAL ID:202102223783712959
整理番号:21A0151623
垂直スケール電荷トラップ(CT)3D NANDフラッシュメモリにおけるセル変動に及ぼすポリSiチャネルの影響【JST・京大機械翻訳】
Impacts of Poly-Si Channel on Cell Variations in Vertical Scaled Charge-trap (CT) 3D NAND Flash Memory
著者 (4件):
Wang Fei
(School of Information Science and Engineering (ISE), Shandong University,Qingdao,P. R. China,266237)
,
Zhan Xuepeng
(School of Information Science and Engineering (ISE), Shandong University,Qingdao,P. R. China,266237)
,
Li Yuan
(School of Information Science and Engineering (ISE), Shandong University,Qingdao,P. R. China,266237)
,
Chen Jiezhi
(School of Information Science and Engineering (ISE), Shandong University,Qingdao,P. R. China,266237)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2020
号:
ICSICT
ページ:
1-3
発行年:
2020年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)