前のページに戻るこの文献は全文を取り寄せることができます

JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。

既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方

JDreamⅢ複写サービス
文献複写のお申込み

JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方

学術文献の全文複写をお取寄せ
JDreamⅢ複写サービスのご案内

取り寄せる文献のタイトルと詳細

文献

J-GLOBAL ID：202102223783712959 整理番号：21A0151623

垂直スケール電荷トラップ(CT)3D NANDフラッシュメモリにおけるセル変動に及ぼすポリSiチャネルの影響【JST・京大機械翻訳】

Impacts of Poly-Si Channel on Cell Variations in Vertical Scaled Charge-trap (CT) 3D NAND Flash Memory

著者 (4件)：

Wang Fei

(School of Information Science and Engineering (ISE), Shandong University,Qingdao,P. R. China,266237)

Zhan Xuepeng

(School of Information Science and Engineering (ISE), Shandong University,Qingdao,P. R. China,266237)

Li Yuan

(School of Information Science and Engineering (ISE), Shandong University,Qingdao,P. R. China,266237)

Chen Jiezhi

(School of Information Science and Engineering (ISE), Shandong University,Qingdao,P. R. China,266237)

資料名：

IEEE Conference Proceedings (IEEE Conference Proceedings)

巻： 2020 号： ICSICT ページ： 1-3 発行年： 2020年
JST資料番号： W2441A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

JDreamⅢ複写サービスとは

JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします

※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。

TOP

BOTTOM