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文献
J-GLOBAL ID：202102225674395917
整理番号：21A0233392
InGaP/GaAs二重ヘテロ接合裏面接触太陽電池のためのバイアホールエッチング【JST・京大機械翻訳】
Via-hole etching for InGaP/GaAs double heterojunction backside contact solar cells
Yoo Ji-Seon
(School of Electrical Engineering and Computer Science, Gwangju Institute of Science and Technology,Gwangju,Republic of Korea)
,
Kim Ye-Chan
(School of Electrical Engineering and Computer Science, Gwangju Institute of Science and Technology,Gwangju,Republic of Korea)
,
Kim Sung-Tae
(School of Electrical Engineering and Computer Science, Gwangju Institute of Science and Technology,Gwangju,Republic of Korea)
,
Kang Ho-Kwan
(Korea Advanced Nano fab Center,Suwon-Si,Republic of Korea)
,
Jung Sang-Hyun
(Korea Advanced Nano fab Center,Suwon-Si,Republic of Korea)
,
Jeong Ho-Jung
(Lighting Materials and Components Research Center, Korea Photonics Technology Institute,Gwangju,Republic of Korea)
,
Jang Jae-Hyung
(School of Electrical Engineering and Computer Science, Gwangju Institute of Science and Technology,Gwangju,Republic of Korea)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020 号： PVSC ページ： 0284-0287 発行年： 2020年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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