文献
J-GLOBAL ID:202102227463018294
整理番号:21A0984885
NVM応用のための結晶性In-Ga-Zn酸化物FETにおけるHfO_xを用いた水素吸収法【JST・京大機械翻訳】
Hydrogen Absorption Method Using HfOx in Crystalline In-Ga-Zn Oxide FETs for NVM Applications
著者 (12件):
Ono T.
(Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.,Japan)
,
Yanagisawa Y.
(Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.,Japan)
,
Komatsu Y.
(Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.,Japan)
,
Aoki T.
(Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.,Japan)
,
Jimbo Y.
(Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.,Japan)
,
Ito S.
(Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.,Japan)
,
Yamane Y.
(Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.,Japan)
,
Okuno N.
(Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.,Japan)
,
Kunitake H.
(Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.,Japan)
,
Komagata H.
(Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.,Japan)
,
Sasagawa S.
(Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.,Japan)
,
Yamazaki S.
(Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.,Japan)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2020
号:
IEDM
ページ:
39.4.1-39.4.4
発行年:
2020年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)