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文献
J-GLOBAL ID：202102228154669595
整理番号：21A0986045
0.13μm SiGe技術におけるオンチップ導波路と集積化した0.26THzパワーユニット【JST・京大機械翻訳】
A 0.26 THz Power Unit Integrated with an on-Chip Waveguide in a $0. 13 ¥mu ¥mathrm{m}$ SiGe Technology
Gao Hao
(Silicon Austria Labs,Linz,Austria)
,
Chen Jixin
(State Key Laboratory of Millimeter Waves, Southeast University,Nanjing,China)
,
Hong Wei
(State Key Laboratory of Millimeter Waves, Southeast University,Nanjing,China)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020 号： IRMMW-THz ページ： 01-02 発行年： 2020年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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