文献
J-GLOBAL ID:202102228154669595
整理番号:21A0986045
0.13μm SiGe技術におけるオンチップ導波路と集積化した0.26THzパワーユニット【JST・京大機械翻訳】
A 0.26 THz Power Unit Integrated with an on-Chip Waveguide in a $0. 13 ¥mu ¥mathrm{m}$ SiGe Technology
著者 (3件):
Gao Hao
(Silicon Austria Labs,Linz,Austria)
,
Chen Jixin
(State Key Laboratory of Millimeter Waves, Southeast University,Nanjing,China)
,
Hong Wei
(State Key Laboratory of Millimeter Waves, Southeast University,Nanjing,China)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2020
号:
IRMMW-THz
ページ:
01-02
発行年:
2020年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)