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文献
J-GLOBAL ID：202102228513418907
整理番号：21A0984293
水平,積層または垂直シリコンナノワイヤ:低周波雑音の観点からの問題か?【JST・京大機械翻訳】
Horizontal, Stacked or Vertical Silicon Nanowires: Does it Matter from a Low-Frequency Noise Perspective?
Simoen Eddy
(Imec,euven,Belgium,B-3001)
,
de Oliveira Alberto Vinicius
(UTFPR, Campus Toledo,Parana ́,Brazil)
,
Der Agopian Paula Ghedini
(LSI/PSI/USP, University of Sao Paulo,Sao Paulo,Brazil)
,
Ritzenthaler Romain
(Imec,euven,Belgium,B-3001)
,
Mertens Hans
(Imec,euven,Belgium,B-3001)
,
Horiguchi Naoto
(Imec,euven,Belgium,B-3001)
,
Martino Joao Antonio
(LSI/PSI/USP, University of Sao Paulo,Sao Paulo,Brazil)
,
Claeys Cor
(KU Leuven,EE Depart.,Leuven,Belgium,B-3001)
,
Veloso Anabela
(Imec,euven,Belgium,B-3001)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020 号： EUROSOI-ULIS ページ： 1-6 発行年： 2020年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 文献レビュー 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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