文献
J-GLOBAL ID:202102228513418907
整理番号:21A0984293
水平,積層または垂直シリコンナノワイヤ:低周波雑音の観点からの問題か?【JST・京大機械翻訳】
Horizontal, Stacked or Vertical Silicon Nanowires: Does it Matter from a Low-Frequency Noise Perspective?
著者 (9件):
Simoen Eddy
(Imec,euven,Belgium,B-3001)
,
de Oliveira Alberto Vinicius
(UTFPR, Campus Toledo,Parana ́,Brazil)
,
Der Agopian Paula Ghedini
(LSI/PSI/USP, University of Sao Paulo,Sao Paulo,Brazil)
,
Ritzenthaler Romain
(Imec,euven,Belgium,B-3001)
,
Mertens Hans
(Imec,euven,Belgium,B-3001)
,
Horiguchi Naoto
(Imec,euven,Belgium,B-3001)
,
Martino Joao Antonio
(LSI/PSI/USP, University of Sao Paulo,Sao Paulo,Brazil)
,
Claeys Cor
(KU Leuven,EE Depart.,Leuven,Belgium,B-3001)
,
Veloso Anabela
(Imec,euven,Belgium,B-3001)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2020
号:
EUROSOI-ULIS
ページ:
1-6
発行年:
2020年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
文献レビュー
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)