文献
J-GLOBAL ID:202102228548416237
整理番号:21A0233360
不動態化接触のための低圧化学蒸着によるその場リンドープポリSi【JST・京大機械翻訳】
In Situ Phosphorus-Doped Poly-Si by Low Pressure Chemical Vapor Deposition for Passivating Contacts
著者 (6件):
Firat Meric
(KU Leuven, imec,Leuven,Belgium)
,
Radhakrishnan Hariharsudan Sivaramakrishnan
(imec,Leuven,Belgium)
,
Payo Maria Recaman
(KU Leuven,Leuven,Belgium)
,
Duerinckx Filip
(imec,Leuven,Belgium)
,
Sharma Rajiv
(KU Leuven, imec,Leuven,Belgium)
,
Poortmans Jef
(imec, KU Leuven, UHasselt,Leuven,Belgium)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2020
号:
PVSC
ページ:
0160-0163
発行年:
2020年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)