文献
J-GLOBAL ID:202102229578098480
整理番号:21A0005299
高出力応用のためのマルチゲートMOSFETのコンパクトモデリング【JST・京大機械翻訳】
Compact Modeling of Multi-Gate MOSFETs for High-Power Applications
著者 (7件):
Herrera F. Avila
(HiSIM Research Center, Hiroshima University Kagamiyama, Higashi-Hiroshima, Japan)
,
Hirano Y.
(HiSIM Research Center, Hiroshima University Kagamiyama, Higashi-Hiroshima, Japan)
,
Miura-Mattausch M.
(HiSIM Research Center, Hiroshima University Kagamiyama, Higashi-Hiroshima, Japan)
,
Iizuka T.
(HiSIM Research Center, Hiroshima University Kagamiyama, Higashi-Hiroshima, Japan)
,
Kikuchihara H.
(HiSIM Research Center, Hiroshima University Kagamiyama, Higashi-Hiroshima, Japan)
,
Mattausch H. J.
(HiSIM Research Center, Hiroshima University Kagamiyama, Higashi-Hiroshima, Japan)
,
Ito A.
(Broadcom Inc., Irvine, CA, USA)
資料名:
IEEE Journal of the Electron Devices Society
(IEEE Journal of the Electron Devices Society)
巻:
8
ページ:
1381-1389
発行年:
2020年
JST資料番号:
W2429A
ISSN:
2168-6734
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)