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文献
J-GLOBAL ID：202102230561460777
整理番号：21A0013199
メモリ動作中の自発分極とトラップ電荷の直接抽出に基づくHfO_2FeFETにおけるV_th窓と信頼性の再検討【JST・京大機械翻訳】
Re-examination of Vth Window and Reliability in HfO2 FeFET Based on the Direct Extraction of Spontaneous Polarization and Trap Charge during Memory Operation
Ichihara Reika
(Institute of Memory Technology R&D, Kioxia Corporation,Kawasaki,Japan)
,
Suzuki Kunifumi
(Institute of Memory Technology R&D, Kioxia Corporation,Kawasaki,Japan)
,
Kusai Haruka
(Institute of Memory Technology R&D, Kioxia Corporation,Kawasaki,Japan)
,
Ariyoshi Keiko
(Institute of Memory Technology R&D, Kioxia Corporation,Kawasaki,Japan)
,
Akari Keisuke
(Institute of Memory Technology R&D, Kioxia Corporation,Kawasaki,Japan)
,
Takano Keisuke
(Institute of Memory Technology R&D, Kioxia Corporation,Kawasaki,Japan)
,
Matsuo Kazuhiro
(Institute of Memory Technology R&D, Kioxia Corporation,Kawasaki,Japan)
,
Kamiya Yuta
(Institute of Memory Technology R&D, Kioxia Corporation,Kawasaki,Japan)
,
Takahashi Kota
(Institute of Memory Technology R&D, Kioxia Corporation,Kawasaki,Japan)
,
Miyazawa Hidenori
(Institute of Memory Technology R&D, Kioxia Corporation,Kawasaki,Japan)
,
Kamimuta Yuuichi
(Institute of Memory Technology R&D, Kioxia Corporation,Kawasaki,Japan)
,
Sakuma Kiwamu
(Institute of Memory Technology R&D, Kioxia Corporation,Kawasaki,Japan)
,
Saitoh Masumi
(Institute of Memory Technology R&D, Kioxia Corporation,Kawasaki,Japan)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020 号： VLSI Technology ページ： 1-2 発行年： 2020年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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