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文献
J-GLOBAL ID:202102231145856743   整理番号:21A0151695

Schottky障壁変調CVD Mos_2トランジスタに基づく光刺激人工シナプス【JST・京大機械翻訳】

Light-stimulated artificial synapse based on Schottky barrier modulated CVD Mos2 transistors
著者 (2件):
Hu Qianlan
(Wuhan National High Magnetic Field Center, School of Electrical and Electronic Engineering, Huazhong University of Science and Technology,Wuhan,China,430074)
Wu Yanqing
(Wuhan National High Magnetic Field Center, School of Electrical and Electronic Engineering, Huazhong University of Science and Technology,Wuhan,China,430074)

資料名:
IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)

巻: 2020  号: ICSICT  ページ: 1-3  発行年: 2020年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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