文献
J-GLOBAL ID:202102231145856743
整理番号:21A0151695
Schottky障壁変調CVD Mos_2トランジスタに基づく光刺激人工シナプス【JST・京大機械翻訳】
Light-stimulated artificial synapse based on Schottky barrier modulated CVD Mos2 transistors
著者 (2件):
Hu Qianlan
(Wuhan National High Magnetic Field Center, School of Electrical and Electronic Engineering, Huazhong University of Science and Technology,Wuhan,China,430074)
,
Wu Yanqing
(Wuhan National High Magnetic Field Center, School of Electrical and Electronic Engineering, Huazhong University of Science and Technology,Wuhan,China,430074)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2020
号:
ICSICT
ページ:
1-3
発行年:
2020年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)