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文献
J-GLOBAL ID：202102233796825365
整理番号：21A2025256
シリカオンチップ構造で量子ドットにより最適化した量子ドット発光ダイオードの作動温度の低下【JST・京大機械翻訳】
Reduced Working Temperature of Quantum Dots-Light-Emitting Diodes Optimized by Quantum Dots at Silica-on-Chip Structure
Xie Bin
(School of Energy and Power Engineering,Huazhong University of Science and Technology,Wuhan 430074, China)
,
Liu Haochen
(Department of Electrical and ElectronicEngineering,Southern University of Science and Technology,Shenzhen 518055, China)
,
Sun Xiao Wei
(Department of Electrical and ElectronicEngineering,Southern University of Science and Technology,Shenzhen 518055, China)
,
Yu Xingjian
(School of Energy and Power Engineering,Huazhong University of Science and Technology,Wuhan 430074, China)
,
Wu Ruikang
(School of Energy and Power Engineering,Huazhong University of Science and Technology,Wuhan 430074, China)
,
Wang Kai
(Department of Electrical and ElectronicEngineering,Southern University of Science and Technology,Shenzhen 518055, China)
,
Luo Xiaobing
(School of Energy and Power Engineering,Huazhong University of Science and Technology,Wuhan 430074, Chinae-mail: luoxb@hust.edu.cn)
資料名：
Journal of Electronic Packaging
(Journal of Electronic Packaging)
巻： 141 号： 3 ページ： Null 発行年： 2019年
JST資料番号： T0929A ISSN： 1043-7398 CODEN： JEPAE4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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