前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：202102237742039188
整理番号：21A0089110
両極性薄膜トランジスタ応用のための反応性スパッタリングによるSnO膜の調製とキャラクタリゼーション【JST・京大機械翻訳】
Preparation and characterization of SnO films via reactive sputtering for ambipolar thin-film transistor applications
Huo Jingyong
(State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, People’s Republic of China)
,
Wang Xiaolin
(State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, People’s Republic of China)
,
Wu Xiaohan
(State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, People’s Republic of China)
,
Liu Wen-Jun
(State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, People’s Republic of China)
,
Ding Shi-Jin
(State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, People’s Republic of China)
資料名：
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻： 36 号： 2 ページ： 025004 (10pp) 発行年： 2020年
JST資料番号： E0503B ISSN： 0268-1242 CODEN： SSTEET 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。