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文献
J-GLOBAL ID：202102237947049888
整理番号：21A3412892
相変化ニューロンシナプスデバイスのためのBiSb-Ge_2Sb_2Te_5材料における超低抵抗ドリフトに対する構造特性の解明【JST・京大機械翻訳】
Unveiling structural characteristics for ultralow resistance drift in BiSb-Ge2Sb2Te5 materials for phase-change neuron synaptic devices
Chen Chen
(Laboratory of Infrared Materials and Devices, The Research Institute of Advanced Technologies, Ningbo University, Ningbo, Zhejiang 315211, China)
,
Chen Chen
(Key Laboratory of Photoelectric Detection Materials and Devices of Zhejiang Province, Ningbo, Zhejiang 315211, China)
,
Zhu Jinyi
(Laboratory of Infrared Materials and Devices, The Research Institute of Advanced Technologies, Ningbo University, Ningbo, Zhejiang 315211, China)
,
Zhu Jinyi
(Key Laboratory of Photoelectric Detection Materials and Devices of Zhejiang Province, Ningbo, Zhejiang 315211, China)
,
Chen Yingqi
(Laboratory of Infrared Materials and Devices, The Research Institute of Advanced Technologies, Ningbo University, Ningbo, Zhejiang 315211, China)
,
Chen Yingqi
(Engineering Research Center for Advanced Infrared Photoelectric Materials and Devices of Zhejiang Province, Ningbo, Zhejiang 315211, China)
,
Wang Guoxiang
(Laboratory of Infrared Materials and Devices, The Research Institute of Advanced Technologies, Ningbo University, Ningbo, Zhejiang 315211, China)
,
Wang Guoxiang
(Key Laboratory of Photoelectric Detection Materials and Devices of Zhejiang Province, Ningbo, Zhejiang 315211, China)
,
Wang Guoxiang
(Engineering Research Center for Advanced Infrared Photoelectric Materials and Devices of Zhejiang Province, Ningbo, Zhejiang 315211, China)
,
Wang Guoxiang
(International Science & Technology Cooperation Base of Infrared Materials and Devices of Zhejiang Province, Ningbo, Zhejiang 315211, China)
資料名：
Journal of Alloys and Compounds
(Journal of Alloys and Compounds)
巻： 892 ページ： Null 発行年： 2022年
JST資料番号： D0083A ISSN： 0925-8388 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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