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文献
J-GLOBAL ID：202102238395329058
整理番号：21A0011905
InP/Si基板上に成長させた歪補償層を有する二重キャップInAs量子ドット【JST・京大機械翻訳】
Double capped InAs Quantum Dots with strain compensation layer grown on InP/Si substrate
Shirai Takuto
(Sophia University,Dept. Engineering and Applied Sciences,Nagareyama,Japan)
,
Han Xu
(Sophia University,Dept. Engineering and Applied Sciences,Tokyo,Japan)
,
Ishizaki Takahiro
(Sophia University,Dept. Engineering and Applied Sciences,Tokyo,Japan)
,
Tsushima Koki
(Sophia University,Dept. Engineering and Applied Sciences,Yokohama,Japan)
,
Matsuura Masaki
(Sophia University,Dept. Engineering and Applied Sciences,Tokyo,Japan)
,
Shibukawa Kota
(Sophia University,Dept. Engineering and Applied Sciences,Tokyo,Japan)
,
Fujiwara Keita
(Sophia University,Dept. Engineering and Applied Sciences,Kawasaki,Japan)
,
Sato Motonari
(Sophia University,Dept. Engineering and Applied Sciences,Tokyo,Japan)
,
Shimomura Kazuhiko
(Sophia University,Dept. Engineering and Applied Sciences,Tokyo,Japan)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020 号： OECC ページ： 1-3 発行年： 2020年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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