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文献
J-GLOBAL ID：202102238975536011
整理番号：21A0463198
負に帯電した酸素イオンの照射後のSnドープIn_2O_3膜のキャリア濃度とバンドギャップのエンジニアリングの調整【JST・京大機械翻訳】
Tailoring of carrier concentration and engineering of band gap for Sn-doped In2O3 films by postirradiation of negatively charged oxygen ions
Furubayashi Yutaka
(Materials Design Center, Research Institute, Kochi University of Technology, 185 Tosayamadacho-Miyanokuchi, Kami 782-8502, Japan)
,
Maehara Makoto
(Industrial Equipment Division, Sumitomo Heavy Industries, Ltd, 5-2 Soubiraki-cho, Niihama 792-8588, Japan)
,
Kitami Hisashi
(Materials Design Center, Research Institute, Kochi University of Technology, 185 Tosayamadacho-Miyanokuchi, Kami 782-8502, Japan)
,
Kitami Hisashi
(Technology Research Center, Sumitomo Heavy Industries, Ltd, 19 Natsushimacho, Yokosuka 237-8555, Japan)
,
Sakemi Toshiyuki
(Technology Research Center, Sumitomo Heavy Industries, Ltd, 19 Natsushimacho, Yokosuka 237-8555, Japan)
,
Yamamoto Tetsuya
(Materials Design Center, Research Institute, Kochi University of Technology, 185 Tosayamadacho-Miyanokuchi, Kami 782-8502, Japan)
資料名：
Journal of Physics. D. Applied Physics
(Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 54 号： 14 ページ： 145110 (12pp) 発行年： 2021年
JST資料番号： B0092B ISSN： 0022-3727 CODEN： JPAPBE 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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