文献
J-GLOBAL ID:202102239739069552
整理番号:21A0277779
パルスレーザ蒸着により作製したITO/p-Siヘテロ接合の光起電力特性【JST・京大機械翻訳】
Photovoltaic properties of ITO/p-Si heterojunction prepared by pulsed laser deposition
著者 (3件):
Ismail Raid A.
(Department of Applied Science, University of Technology, Baghdad, Iraq)
,
Abdulrazzaq Omar A.
(Renewable Energy an Environment Research Center, Ministry of Industry and Minerals, Iraq)
,
Ali Abdullah M.
(College of Education for Pure Science, Tikrit University, Iraq)
資料名:
International Journal of Modern Physics B. Condensed Matter Physics, Statiscal Physics, Applied Physics
(International Journal of Modern Physics B. Condensed Matter Physics, Statiscal Physics, Applied Physics)
巻:
34
号:
32
ページ:
2050321
発行年:
2020年
JST資料番号:
T0396A
ISSN:
0217-9792
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
シンガポール (SGP)
言語:
英語 (EN)