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文献
J-GLOBAL ID：202102239739069552
整理番号：21A0277779
パルスレーザ蒸着により作製したITO/p-Siヘテロ接合の光起電力特性【JST・京大機械翻訳】
Photovoltaic properties of ITO/p-Si heterojunction prepared by pulsed laser deposition
Ismail Raid A.
(Department of Applied Science, University of Technology, Baghdad, Iraq)
,
Abdulrazzaq Omar A.
(Renewable Energy an Environment Research Center, Ministry of Industry and Minerals, Iraq)
,
Ali Abdullah M.
(College of Education for Pure Science, Tikrit University, Iraq)
資料名：
International Journal of Modern Physics B. Condensed Matter Physics, Statiscal Physics, Applied Physics
(International Journal of Modern Physics B. Condensed Matter Physics, Statiscal Physics, Applied Physics)
巻： 34 号： 32 ページ： 2050321 発行年： 2020年
JST資料番号： T0396A ISSN： 0217-9792 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： シンガポール (SGP) 言語： 英語 (EN)
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