文献
J-GLOBAL ID:202102239976919131
整理番号:21A0233464
ブラックシリコンの電界効果不動態化の理解:圧縮空間電荷領域における電荷キャリアポピュレーション制御のモデリング【JST・京大機械翻訳】
Understanding Field-Effect Passivation of Black Silicon: Modeling Charge Carrier Population Control in Compressed Space Charge Regions
著者 (8件):
Wang Shaozhou
(University of New South Wales,Sydney,Australia)
,
Wu Xinyuan
(University of New South Wales,Sydney,Australia)
,
Ma Fajun
(University of New South Wales,Sydney,Australia)
,
Zhang Yu
(University of New South Wales,Sydney,Australia)
,
Scardera Giuseppe
(University of New South Wales,Sydney,Australia)
,
Payne David
(Macquarie University,Sydney,Australia)
,
Abbott Malcolm
(University of New South Wales,Sydney,Australia)
,
Hoex Bram
(University of New South Wales,Sydney,Australia)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2020
号:
PVSC
ページ:
0590-0594
発行年:
2020年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)