文献
J-GLOBAL ID:202102240044989559
整理番号:21A1782345
GaN単結晶ウエハ中の残留水素によるGa格子サイト周辺の歪の観測
Observation of the distortion around Ga lattice sites due to the residual hydrogen in GaN single crystal wafer
著者 (4件):
SATO Kazuki
(Hosei Univ.)
,
NISHIMURA Tomoaki
(Hosei Univ.)
,
KURIYAMA Kazuo
(Hosei Univ.)
,
NAKAMURA Tohru
(Hosei Univ.)
資料名:
法政大学イオンビーム工学研究所報告
(Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University)
号:
40
ページ:
28-30
発行年:
2021年02月26日
JST資料番号:
S0830B
ISSN:
0286-0201
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)